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Caractérisation et modélisation thermomécanique des couches d’interconnexions dans les circuits sub-microélectroniques / par Nathalie Cherault ; sous la direction de Jacques Besson et Marie-Hélène Berger

Auteur principal : Cherrault, Nathalie, 1978-...Auteur secondaire : : Besson, Jacques, 1963-...., Directeur de thèse;Berger, Marie-Hélène, 1962-...., Directeur de thèseAuteur secondaire collectivité : École nationale supérieure des mines, Paris, Organisme de soutenancePublication :2006Description : 1 vol. (286 p.) ; 30 cmClassification : 530Résumé : Le cuivre et des diélectriques à faible permittivité, appelés diélectriques « low-k », ont remplacé l’aluminium et l’oxyde de silicium dans les interconnexions afin de diminuer le temps de réponse des circuits submicroniques. Cependant, les problèmes de fiabilité mécanique risquent d’augmenter. Il est nécessaire de comprendre le comportement de ces structures lors de sollicitations thermomécaniques. Ce travail repose sur un couplage entre la modélisation par éléments finis, des caractérisations mécaniques et des analyses microstructurales. Les caractéristiques mécaniques de films diélectriques ont été déterminées. La tenue mécanique des différentes interfaces a été mesurée. Un modèle par éléments finis a été développé afin d’évaluer les contraintes thermomécaniques dans les interconnexions. La loi de comportement des différents films a été déterminée. Une modélisation séquentielle a permis de prendre en compte le procédé de fabrication des interconnexions.; The introduction of copper and low-k dielectric materials in interconnects, to replace aluminium and SiO2, enables to reduce the RC delay and to improve the performance of submicron circuits. However, it is accompanied by an increase in mechanical reliability risks. A thorough understanding of the thermomechanical behavior of the backend structure is therefore essential. This study is done by coupling finite element modeling with mechanical and microstructural characterization. Mechanical properties of dielectric films have been measured. Interfacial adhesion of films has been studied. A finite element model has been developed to evaluate thermomechanical stresses in interconnects. The constitutive equation of all the materials has been extracted. A sequential process modeling technique has been used to simulate the process steps involved during the manufacturing process..Bibliographie: Bibliogr. 153 réf..Thèse : .Sujet - Nom d'actualité : Microélectronique Sujet : Méthode élément fini ;Microscopie électronique transmission ;Contrainte thermomécanique ;Comportement mécanique ;Circuit intégré ;Diélectrique ;Microélectronique ;Caractérisation ;Modélisation ;Thermomécanique ;Microélectronique ;Modélisation ;Diélectrique List(s) this item appears in: Unica Evry
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Bib. Evry
EMC CHE Sur demande Thèse en ligne EMC CHE
Bib. Paris
EMP 153.547 CCL.TH.1158 Available Thèse en ligne EMP51086D
Bib. Paris
EMP 153.548 CCL.TH.1159 Available Thèse en ligne EMP51087D

Publication autorisée par le jury

Bibliogr. 153 réf.

Thèse de doctorat Sciences et génie des matériaux Paris, ENMP 2006

Le cuivre et des diélectriques à faible permittivité, appelés diélectriques « low-k », ont remplacé l’aluminium et l’oxyde de silicium dans les interconnexions afin de diminuer le temps de réponse des circuits submicroniques. Cependant, les problèmes de fiabilité mécanique risquent d’augmenter. Il est nécessaire de comprendre le comportement de ces structures lors de sollicitations thermomécaniques. Ce travail repose sur un couplage entre la modélisation par éléments finis, des caractérisations mécaniques et des analyses microstructurales. Les caractéristiques mécaniques de films diélectriques ont été déterminées. La tenue mécanique des différentes interfaces a été mesurée. Un modèle par éléments finis a été développé afin d’évaluer les contraintes thermomécaniques dans les interconnexions. La loi de comportement des différents films a été déterminée. Une modélisation séquentielle a permis de prendre en compte le procédé de fabrication des interconnexions.

The introduction of copper and low-k dielectric materials in interconnects, to replace aluminium and SiO2, enables to reduce the RC delay and to improve the performance of submicron circuits. However, it is accompanied by an increase in mechanical reliability risks. A thorough understanding of the thermomechanical behavior of the backend structure is therefore essential. This study is done by coupling finite element modeling with mechanical and microstructural characterization. Mechanical properties of dielectric films have been measured. Interfacial adhesion of films has been studied. A finite element model has been developed to evaluate thermomechanical stresses in interconnects. The constitutive equation of all the materials has been extracted. A sequential process modeling technique has been used to simulate the process steps involved during the manufacturing process.

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