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A constitutive single crystal model for the silicon mechanical behavior : applications to the stress induced by silicided lines and STI in MOS technologies / F. Cacho, S. Orain, G. Cailletaud, H. Jaouen [ [Texte imprimé]]

Auteur principal : CACHO, FlorianCo-auteur : ORAIN, S.;Jaouen, H.;Cailletaud, Georges, 1955-....Publication :Paris : ENSMP, 2007Description : P. [161]-167 ; 30 cmSujet : Comportement mécanique ;Silice ;Matériau non linéaire ;Méthode élément fini ;Modèle cristal
Current location Call number Status Date due Barcode
Bib. Paris
EMP 154.778 CCL 5965 Available EMP75143D

Extr. de : "Microelectronics reliability", vol. 47, 2007

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