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Étude du contact métal-silicium : aspects électriques et physico-chimiques

Auteur principal : Martinez, Augustin, scientifique au LAAS, AuteurPublication : S.l] : [s.n.], 1976Description : 271 p : ill ; 29 cmDewey: 500Classification : 001.D.03Résumé : BREF RESUME DES PRINCIPAUX ELEMENTS THEORIQUES CONNUS DANS LE DOMAINE DU CONTACT METAL-SEMICONDUCTEUR TANT REDRESSEUR QU'OHMIQUE. ETUDE ELECTRIQUE DES CONTACTS. ANALYSE PHYSICOCHIMIQUE DES CONTACTS. APPLICATIONS DE CES TRAVAUX DANS LE DOMAINE DES DISPOSITIFS: IMPACT DE NOS RESULTATS SUR LES DISPOSITIFS CLASSIQUES TELS QUE REDRESSEUR SCHOTTKY FORTE PUISSANCE, OU PHOTODIODE SCHOTTKY. DESCRIPTION D'UN PHENOMENE LA COMMUTATION BISTABLE DANS LES DIODES SCHOTTKY..Bibliographie: Bibliogr.: p. 249-264.Thèse : Thèse. Sc. phys. Toulouse III. 1976. N° 704.Sujet : Propriété électronique ;Physique solide ;Matériau ;Tribologie
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Bib. Paris
EMP 132.155 CCL.TH.223 Available

Bibliogr.: p. 249-264

Thèse. Sc. phys. Toulouse III. 1976. N° 704

BREF RESUME DES PRINCIPAUX ELEMENTS THEORIQUES CONNUS DANS LE DOMAINE DU CONTACT METAL-SEMICONDUCTEUR TANT REDRESSEUR QU'OHMIQUE. ETUDE ELECTRIQUE DES CONTACTS. ANALYSE PHYSICOCHIMIQUE DES CONTACTS. APPLICATIONS DE CES TRAVAUX DANS LE DOMAINE DES DISPOSITIFS: IMPACT DE NOS RESULTATS SUR LES DISPOSITIFS CLASSIQUES TELS QUE REDRESSEUR SCHOTTKY FORTE PUISSANCE, OU PHOTODIODE SCHOTTKY. DESCRIPTION D'UN PHENOMENE LA COMMUTATION BISTABLE DANS LES DIODES SCHOTTKY.

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