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Durée de vie des porteurs dans les photopiles solaires au silicium : effets des irradiations par électrons et protons et des irradiations combinées particules-photons / Gilbert Gasset

Auteur principal : Gasset, Gilbert, auteur d'une thèse de sciences, AuteurPublication :Toulouse : Impr. Univ. P. Sabatier, [s.d.]Description : 146 p : ill ; 30 cmDewey: 530Classification : 001.D.03_001.D.06_001.D.05Résumé : LES DIFFERENTS CHAPITRES DE CETTE THESE ONT PORTE SUR : 1) L'ANALYSE DE LA METHODE DE MESURE PAR LES PHOTOCOURANTS TRANSITOIRES DE DIFFUSION; 2) LA DISCUSSION DES MESURES ET POSSIBILITES DE CARACTERISATION DES PHOTOPILES SOLAIRES FOURNIES PAR LA METHODE DES PHOTOCOURANTS TRANSITOIRES; 3) LA DEGRADATION DE LA DUREE DE VIE DES PORTEURS DANS LA BASE DES PHOTOPILES AU SILICIUM IRRADIEES PAR DES ELECTRONS DE 1 ET 4,5 EV ET PAR DES PROTONS DE 10 A 600 MEV; 4) L'EFFET DES IRRADIATIONS COMBINEES PARTICULES-PHONONS SUR LA DETERIORATION DES PHOTOPILES SOLAIRES AU SILICIUM.Thèse : Th. Géophys. et sci. spatiales Toulouse 3 : 1980 ; 955.Sujet - Nom d'actualité : Énergie solaire Sujet : Cellule photovoltaïque ;Photovoltaïque ;Photoélectricité
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Bib. Paris
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Th. Géophys. et sci. spatiales Toulouse 3 : 1980 ; 955

LES DIFFERENTS CHAPITRES DE CETTE THESE ONT PORTE SUR : 1) L'ANALYSE DE LA METHODE DE MESURE PAR LES PHOTOCOURANTS TRANSITOIRES DE DIFFUSION; 2) LA DISCUSSION DES MESURES ET POSSIBILITES DE CARACTERISATION DES PHOTOPILES SOLAIRES FOURNIES PAR LA METHODE DES PHOTOCOURANTS TRANSITOIRES; 3) LA DEGRADATION DE LA DUREE DE VIE DES PORTEURS DANS LA BASE DES PHOTOPILES AU SILICIUM IRRADIEES PAR DES ELECTRONS DE 1 ET 4,5 EV ET PAR DES PROTONS DE 10 A 600 MEV; 4) L'EFFET DES IRRADIATIONS COMBINEES PARTICULES-PHONONS SUR LA DETERIORATION DES PHOTOPILES SOLAIRES AU SILICIUM

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