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Contribution à l'étude des cellules solaires au silicium polycristallin [Texte imprimé] / Chung Ho-Sun

Auteur principal : Chung, Ho-Sun, AuteurAuteur secondaire collectivité : Institut national polytechnique, Toulouse, Organisme de soutenancePublication : [S.l.] : [s.n.], 1980Description : 7-159 p. : ill. ; 30 cmDewey: 620Résumé : Rappel des principes de base de l'effet photovoltaïque et paramètres physiques utilisés dans les programmes de calcul. Analyse des divers facteurs de perte qui limitent le RDT de la cellule solaire. Modèle de simulation sur ordinateur des cellules solaires en tenant compte des paramètres physiques et géométriques pour SI monocristallin et polycristallin. Modèle mathématique de la jonction N**(+)P Polycristalline. Procédés technologiques utilisés pour la réalisation des études (capacités MOS, cellules solaires). Etudes des cellules en SI polycristallin (étude de caractérisation électrique et optique, ce qui nous permet de connaître QQ paramètres physiques tels que durée de vie dans le substrat et rendement de conversion énergétique).Bibliographie: Bibliographie p. 153-159.Thèse : .Sujet - Nom d'actualité : Détecteurs de rayonnement -- Thèses et écrits académiques ;Effet photovoltaïque -- Thèses et écrits académiques ;Silicium cristallisé -- Thèses et écrits académiques ;Énergie solaire ;Photopiles -- Simulation, Méthodes de -- Thèses et écrits académiques Sujet : Polycristal ;Silicium ;Cellule photovoltaïque
Current location Call number Status Date due Barcode
Bib. Paris
EMP 137.338 CCL.TH.551 Available

Publication autorisée par le jury

Bibliographie p. 153-159

Thèse de docteur-ingénieur Électronique, Électrotechique, Automatique Toulouse, INPT 1980

Rappel des principes de base de l'effet photovoltaïque et paramètres physiques utilisés dans les programmes de calcul. Analyse des divers facteurs de perte qui limitent le RDT de la cellule solaire. Modèle de simulation sur ordinateur des cellules solaires en tenant compte des paramètres physiques et géométriques pour SI monocristallin et polycristallin. Modèle mathématique de la jonction N**(+)P Polycristalline. Procédés technologiques utilisés pour la réalisation des études (capacités MOS, cellules solaires). Etudes des cellules en SI polycristallin (étude de caractérisation électrique et optique, ce qui nous permet de connaître QQ paramètres physiques tels que durée de vie dans le substrat et rendement de conversion énergétique)

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